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近日，据报道，三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存，将沿用双层堆栈架构，超过300层。报道称，这将使三星的进度超过SK海力士——后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。早在2020年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第7代V-NAND闪存芯片。
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存储芯片是信息技术领域的核心组成部分，随着数据量的爆炸式增长和应用需求的不断提升，存储芯片的发展正经历着快速的变革和创新。随着技术的进步，存储芯片的容量从最初的几兆字节发展到目前的几十TB，甚至更高。作为全球最大的存储芯片制造商之一，三星通过不断的研发和创新，不仅在容量和性能方面取得了突破，还在市场份额和技术领先地位上保持着优势。通过3D NAND技术的引入，三星的闪存芯片容量不断扩大，达到了TB级别。这使得用户能够存储更多的数据，满足了大数据时代的需求。
——种类较多，市场各成体系
存储芯片，又称半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备，是现代数字系统的重要组成部分。存储芯片按按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的有DRAM和SRAM。非易失性存储芯片常见的是NAND闪存芯片和NOR闪存芯片。
——全球存储芯片现状分析
存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。根据世界半导体贸易统计(WSTS)数据显示，2019年全球半导体市场规模为4123.07亿美元，其中存储芯片市场规模为1064亿美元，占半导体行业销售额的25.8%。
2020年12月1日，WSTS发布了最新半导体市场预测，预计2020年全球半导体市场规模在4331亿美元左右。其中除了光电和分立器件，增长最大的是存储芯片，2020全年市场规模约为1194亿美元。
——中国存储芯片现状分析
在“互联网+”的背景下，智能手机功能逐渐多样化，覆盖众多应用领域，促使市场对智能手机的存储空间要求不断提高以满足消费者对移动互联网的使用体验。2016年后，中国智能手机等消费电子应用市场迅速扩张促进了存储芯片市场需求快速释放。
2014-2019年，中国存储芯片市场规模由1274亿元增长至2697亿元，年均复合增长率达到16.18%，前瞻初步估算，2020年中国存储芯片市场规模突破3000亿元。
——企业竞争格局：市场由国外企业垄断，国内厂商奋力追赶
目前，DRAM芯片的市场格局是由三星、SK海力士和美光统治，三大巨头市场占有率合计已超过95%，而三星一家公司市占率就已经逼近50%。寡头垄断的格局使得中国企业对DRAM芯片议价能力很低，也使得DRAM芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品之一。
2020年，DRAM企业格局总体变化不大，头部企业份额小幅被挤压，CR5由2018年Q1的99%下降至2020年Q4的98.4%，仍为高度集中市场。
业界认为三星在推出第9代3D NAND之后，将有望在第10代430层的3DNAND中采取三层堆栈架构。该报援引业内人士称，若3D NAND层数超过400，原材料用量和晶圆成本也会水涨船高，同时也会保证产量。
三星计划在2030年实现3D NAND闪存的1000层堆叠。据说未来的三星第10代V-NAND闪存将具备430层堆叠，并首次采用三堆栈的方法来实现。
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