【环球播资讯】矽源特CST8002D特性指标

矽源特CST8002D特性:

【资料图】

VDD=5V，RL=3Ω，Po=3W，THD+N≤10%

宽工作电压范围1.8V—5.5V

优异的上掉电POP声抑制

无需输出耦合电容、自举电容和缓冲网络

单位增益稳定

矽源特CST8002D采用SOP8封装

矽源特CST8002D封装尺寸:

SOP8:

矽源特CST8002D封装尺寸:SOP8:

矽源特CST8002D引脚分布图:

矽源特CST8002D引脚分布图:

矽源特CST8002D典型应用电路:

矽源特CST8002D原理框图:

责任编辑：Rex_08