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矽源特TXY8205是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)25mΩ@VGS=4.5V,的N沟道MOSFET.

TXY8205概述:

TXY8205是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)25mΩ@VGS=4.5V,RDS(ON)40mΩ@VGS=2.5V的N沟道MOSFET.

TXY8205提供TSOP6/SOT23-6封装.

TXY8205特性:

VDS=20V,ID=6A

RDS(ON)25mΩ@VGS=4.5V

RDS(ON)40mΩ@VGS=2.5V

High Density cell trench design for low Rds(on)

Rugged and reliable

Surface Mount package

Lead Free Available(Green Product)

TXY8205原理图及引脚图:

责任编辑:Rex_08

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